陶瓷散堆填料介电常数计算

       电介质相对介电常数与电容的关系为fr=C/C七(2)式中:C为介质平均电容;q为真空电容.由于真空电容与空气电容相差不大，为了比较，假设空塔的电容为真空电容，根据式(2)，陶瓷散堆填料的相对介电常数见表4.表4陶瓷散堆填料的介电常数陶瓷散堆填料种类A类陶瓷B类陶瓷B类附膜相对介电常数:r1.571.752.32陶瓷散堆填料介电常数的变化及其对气体放电的影响分析。

       由式(1)计算可知，A类陶瓷散堆填料的介电常数大于B类.然而，表4的结果与式(1)的计算结果相矛盾.形成这一结果的原因可能是，B类陶瓷散堆填料的孔隙率大，极容易吸附空气中的水蒸气或反应器反应过程中产生的水，由于水的相对介电常数为81，因此使得B类陶瓷散堆填料的介电常数增大;B类陶瓷散堆填料附着上纳米Ti0:光催化剂后，由于Tiq的介电常数很大(Er=114，所以使得相对介电常数增加地更多，根据文献中关于介质阻挡放电的基本原理:当放电极间有两块电介质存在时，两介质间的电场强度随着电介质介电常数的增加而增大.由此可以解释，由于B类陶瓷散堆填料，特别是附着Ti0:光催化剂的B类陶瓷散堆填料的相对介电常数大于A类陶瓷散堆填料，因此在相同条件下B类陶瓷散堆填料之间的气隙上气体放电要强于A类陶瓷散堆填料之间的气体放电，这样就使得气隙间的电子能够获得更大的能量，有利于等离子的产生和启动化学反应，故而使反应器对含苯废气降解率得到了提高.另外，当反应器装填了附着Ti0:光催化剂的B类陶瓷散堆填料时由于其介电常数较大因而其气体放电强，放电期间在Ti0:光催化剂表面产生的紫外线多，有利于光催化剂发挥作用从而提高了反应器对含苯废气的降解率.

       (1)在本研究条件下，反应器中B类陶瓷的孔隙对含苯废气的直接吸附作用基本不会提高反应器的降解率.

       (2)由于B类陶瓷散堆填料的孔隙对水或水蒸气有吸附作用，使其介电常数得到提高，进而提高了陶瓷散堆填料气隙间的电场强度和放电强度，提高反应器的降解率.

       (3)Tiq光催化剂有利于提高陶瓷散堆填料的介电常数和反应器的气体放电强度以及紫外线的产生强度，从而提高了反应器光催化的效果和对含苯气体的降解率。www.zbhdjx.cn